El primero módulo de memoria GDDR6 de Samsung está listo

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Actualmente, la tendencia de memoria más potente es la GDDR5, capaz de trabajar a 8GHz, una frecuencia increíblemente potente y que puede mover cualquier tipo de información sin problema alguno. Sin embargo, como todos sabemos la tecnología es sinónimo de “avance” y, como era de esperar ya falta poco para ver en el mercado los módulos de memoria GDDR6.

Y claro, Samsung es de las primeras compañías en apostar por esto, ya que ha anunciado su primer módulo de memoria GDDR6. Básicamente es un chip que trabaja a una velocidad de 16 GHz el doble de la actual GDDR5, ¿impresionante no?

Como dato curioso es importante recalcar que actualmente muchas compañías han logrado conseguir velocidades de hasta 12 GHz con la memorias GDDR5X y modelos estándar GDDR5 a 9 Ghz. Sin duda, los módulos GDDR6 están en otro nivel y seguramente para el año 2018 veamos muchos dispositivos con este tipo de tecnología modular. Además, de que es capaz de funciona con un bajo voltaje y por ende, no consume tanta energía como sus antecesores.

Detalles impresionante

Samsung indica que este módulo es capaz de funcionar a 1,35 voltios y una velocidad punta de 16 GHz, sin duda, una mejora bastante significante. Por su parte, NVIDIA nos tendrá una sorpresa preparada para el CES de 2018 donde podremos ver la nueva GPU con este tipo de módulo mucho más potente y rica en consumo de trabajo en cuanto al voltaje.

Dicha compañía lanzará las GTX 2000 y tendrá un proceso de 12 nm, un avance significativo en cuanto a arquitectura del computador. Y, ahora con los nuevos módulos de Samsung seguramente veremos como las compañías competencias harán eco de nuevas GPU. 2018 será el año del avance significativo.

La memoria GDDR6 es de otro nivel y solamente basta mirar los datos para darnos cuenta de ello. Por su parte, Samsung pica adelante y es de las primeras en sacarlas.

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1 comentario
  1. Benito L. dice

    En cuanto a los 12nm, yo lo calificaría más como un salto “evolutivo” que “significativo”, ya que comparado a los saltos anteriores (28nm a 16/14nm por ejemplo), es una pequeña mejora en cuanto a tamaño de nodo (aunque esto no es todo, y más cuando la cifra hoy en día es más una simplificación publicitaria que una descripción precisa de la escala real de los circuitos – por ejemplo no es lo mismo 14nm de Intel que de Samsung o de TSMC).

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